在英特爾U200S平臺(tái)經(jīng)歷了滑鐵盧后，發(fā)揮正常的AM5 9000平臺(tái)就成了老藝術(shù)家，而9800X3D更是游戲玩家升級(jí)的理想選擇，各大內(nèi)存廠家也在第一時(shí)間根據(jù)AMD特有的IOD分頻策略推出專屬的低延遲DDR5內(nèi)存套裝；最近管家更換成了9700X測試平臺(tái)，并同時(shí)入手了來自BIWIN佰維的DW100時(shí)空行者DDR5電競內(nèi)存6000 CL28，容量為16Gx2，其C28時(shí)序低延遲特性幾乎是為AM5平臺(tái)而生的，在這里做個(gè)簡單開箱超頻試玩給大伙分享一下~

產(chǎn)品開箱

佰維BIWIN DW100時(shí)空行者DDR5 32G內(nèi)存套裝（下文簡稱“佰維DW100”）在包裝風(fēng)格上頗有氣質(zhì)，純黑配色配合產(chǎn)品渲染圖，其RGB特性搭配熔巖背景圖頗有浴火重生的味道，從包裝信息可以看到，佰維DW100支持各大主板廠家ARGB燈效同步功能，內(nèi)存獲得2024年德國紅點(diǎn)獎(jiǎng)、2024法國設(shè)計(jì)獎(jiǎng)以及2025 CES創(chuàng)新獎(jiǎng)。

本次入手規(guī)格為16Gx2 6000MHz套裝

DW100最近還推出了OCLAB版本，值得期待

2024德國紅點(diǎn)獎(jiǎng)+法國設(shè)計(jì)獎(jiǎng)

BIWIN佰維是深耕儲(chǔ)存產(chǎn)品多年老牌了

包裝背面

產(chǎn)品特性&中國制造

在產(chǎn)品特性上，佰維DW100配備了自家設(shè)計(jì)的高性能散熱馬甲并支持英特爾XMP、AMD EXPO一鍵超頻、on-die ECC技術(shù)并支持ASUS/MSI/Gigabyte/ASRock四家主板內(nèi)存燈效同步軟件，產(chǎn)品本身由中國制造并享有終身質(zhì)保服務(wù)，符合其高端超頻內(nèi)存產(chǎn)品定位。

多國安規(guī)認(rèn)證+終身質(zhì)保

沒有附件~

作為一款高端定位的超頻內(nèi)存產(chǎn)品，佰維DW100本身并沒有配備其他附件，考慮到本身內(nèi)存6000MHz規(guī)格亦不像8000MHz那樣需要配備風(fēng)扇改善散熱，可以說該有的都有了，玩家可以做到上手即用。

產(chǎn)品細(xì)節(jié)

管家本次入手的佰維DW100為白色版本，內(nèi)存外觀上使用了三位面交叉錯(cuò)位的奇幻時(shí)空主題搭配頂部ARGB燈帶，視覺上方正的造型多了幾分立體感；內(nèi)存散熱采用表面電泳工藝處理的2mm鋁合金馬甲，在保證散熱性能的同時(shí)手感也更細(xì)膩一些；內(nèi)存PCB為常見的黑色。

內(nèi)存正面

作為一款超頻內(nèi)存產(chǎn)品，佰維DW100的散熱馬甲無論是設(shè)計(jì)還是用料都非常考究，2mm厚度的散熱馬甲大幅提升熱容降低發(fā)熱，同時(shí)非對(duì)稱的設(shè)計(jì)在視覺上增強(qiáng)了立體感；相比DDR4時(shí)代而言，DDR5本身加入了PMIC電源管理芯片，精確的電壓控制也增加了內(nèi)存發(fā)熱，加厚馬甲設(shè)計(jì)就變得很有必要了。

BIWIN佰維

DDR5內(nèi)存種類

時(shí)空主題的造型更強(qiáng)調(diào)立體感

在佰維DW100背面我們可以看到，內(nèi)存顆粒來自SK海力士，內(nèi)存工作時(shí)序?yàn)镃L28 35 35 72，工作電壓為1.4V，另外，內(nèi)存為單面顆粒設(shè)計(jì)。

內(nèi)存背面

目前市售針對(duì)AMD AM5平臺(tái)專屬優(yōu)化的6000MHz頻率DDR5內(nèi)存有大約3種時(shí)序規(guī)格，分別為CL26/28/30三種，能上CL28屬于在大眾體質(zhì)基礎(chǔ)上進(jìn)行特挑篩選的優(yōu)質(zhì)顆粒，雖然離CL26這種極限篩選的存在一些距離，但CL28在主板QVL認(rèn)證及兼容性上則更廣泛一些。

銘牌參數(shù)一覽

不同于之前RGB時(shí)代各廠家采用細(xì)磨砂表面的霧面燈帶，佰維DW100在采用均勻發(fā)光材料的前提下使用了光面表面設(shè)計(jì)，實(shí)際上機(jī)的時(shí)候該特性能反射其他設(shè)備，搭配柔和的RGB燈效，視覺體驗(yàn)很棒。

內(nèi)存頂部RGB燈帶

DW100字樣特寫

在細(xì)節(jié)方面，佰維DW100采用雙面高性能導(dǎo)熱墊覆蓋內(nèi)存顆粒和PMIC電源管理芯片模塊，該設(shè)計(jì)之前更多在6800~8000MHz高頻內(nèi)存中使用，能有效改善烤機(jī)場景下的穩(wěn)定性表現(xiàn)。

內(nèi)存采用單面顆粒設(shè)計(jì)

雙層高性能導(dǎo)熱墊

簡單燈效鑒賞

佰維DW100作為一款支持ARGB燈效的內(nèi)存產(chǎn)品，其燈效顏值是相當(dāng)不錯(cuò)的，整體燈效柔和且美觀，管家就不多描述了，大伙直接看圖吧，內(nèi)存燈光效果照片為主板默認(rèn)狀態(tài)RGB循環(huán)，系統(tǒng)沒有安裝同步軟件下拍攝。

內(nèi)存頂部燈效一覽（熄燈環(huán)境）

內(nèi)存頂部燈光效果一覽（開燈環(huán)境）

來一張頂部特寫

右則視覺一覽（熄燈環(huán)境）

頂部DW100 LOGO特寫

燈光過渡柔和

左側(cè)視覺一覽（熄燈環(huán)境）

正面視覺（開燈環(huán)境）

內(nèi)存尾部兩側(cè)燈效對(duì)比A

內(nèi)存尾部燈效對(duì)比B

尾部燈效特寫

還是挺酷炫的

大概就這樣了~

上機(jī)性能測試&簡單超頻

本次測試使用的平臺(tái)為9700X+MSI X870 TOMAHAWK，主板解鎖功耗上限并鎖定全核心頻率5GHz，關(guān)閉各種節(jié)能和PBO，同時(shí)核心電壓和NB/SOC都使用override模式進(jìn)行覆寫+LLC mode03，測試系統(tǒng)為WIN10 22H2（版本號(hào)19045.4170），測試日期為2025年2月28日，室溫20度/濕度90%+。

測試平臺(tái)信息

BIOS內(nèi)存信息

通過主板內(nèi)存信息界面和CPUZ可以看到，佰維DW100在未開啟A-XMP和EXPO一鍵超頻的情況下，默認(rèn)運(yùn)作在5600MHz CL46下的；在默認(rèn)5600MHz下，AIDA64內(nèi)存緩存測試成績相對(duì)保守，內(nèi)存讀取57771MB/s，內(nèi)存寫入72267MB/s，內(nèi)存復(fù)制54939MB/s，內(nèi)存延遲91.3ns。

內(nèi)存默認(rèn)AUTO 5600MHz CL46

AIDA64內(nèi)存緩存測試（AUTO 5600MHz CL46）

開啟BIOS中的EXPO或A-XMP

在主板中打開A-XMP或EXPO即可實(shí)現(xiàn)一鍵超頻，作為AMD平臺(tái)也理所當(dāng)然開啟EXPO了，一鍵超頻流程非常順利，內(nèi)存成功超頻至6000MHz CL28 35 35 72，值得注意的是，在部分版本BIOS下需要手動(dòng)設(shè)定別讓CPU分頻，也就是截圖中的UCLK=MEMCLK。

XMP非常順利

在XMP 6000MHz CL28 UCLK=MEMCLK設(shè)定下，佰維DW100的各方面性能有了明顯提升，內(nèi)存讀取達(dá)到59317MB/s，內(nèi)存寫入81425MB/s，內(nèi)存復(fù)制56361MB/s，內(nèi)存延遲下降至77.3ns，提升較為明顯；通過RunMemtestPro 烤機(jī)2小時(shí)27分362%穩(wěn)定過測，EXPO超頻設(shè)定下穩(wěn)定性沒有問題。

AIDA64內(nèi)存緩存測試（XMP 6000MHz CL28 UCLK=MEMCLK）

RunMemtestPro 29475MB烤機(jī)2小時(shí)27分362%穩(wěn)定過測

當(dāng)然了，AMD的9000系列在IOD體質(zhì)上有了稍微改善，在CPU體質(zhì)較好的情況下，非分頻狀態(tài)下是能實(shí)現(xiàn)6400MHz內(nèi)存超頻的，所以管家使用主板自帶的Memory Try it內(nèi)存超頻功能加載6400MHz CL32 38 38 86設(shè)定檔，嘗試進(jìn)行簡單超頻。

Memory try it預(yù)設(shè)超頻6400MHz CL32

成功開機(jī)進(jìn)系統(tǒng)

超頻過程非常順利，在6400MHz CL32 UCLK=MEMCLK設(shè)定下，佰維DW100在內(nèi)存寫入性能上得到進(jìn)一步提升，達(dá)到了84749MB/s，內(nèi)存延遲則為77ns，略微下降；內(nèi)存讀取和復(fù)制基本上維持XMP下的表現(xiàn)，這一狀況與AMD單核心die設(shè)計(jì)有關(guān)，想發(fā)揮完整內(nèi)存讀取和復(fù)制需要搭配9900X和9950X這類雙核心die處理器。

AIDA64內(nèi)存緩存測試（6400MHz CL32 UCLK=MEMCLK）

在6400MHz CL32 UCLK=MEMCLK設(shè)定下，通過RunMemtestPro 29535MB烤機(jī)2小時(shí)12分331%成功穩(wěn)定過測，可以說在保證延遲略微提升的前提下進(jìn)一步增加內(nèi)存寫入性能，也算一個(gè)不錯(cuò)的選擇。

RunMemtestPro 29535MB烤機(jī)2小時(shí)12分331%穩(wěn)定過測

結(jié)語：AM5平臺(tái)低延遲搭檔

在本次開箱超頻試玩中，佰維DW100時(shí)空行者DDR5電競內(nèi)存6000 CL28 16GB×2的表現(xiàn)是相當(dāng)亮眼的，作為針對(duì)AMD AM5平臺(tái)專屬優(yōu)化的超頻內(nèi)存產(chǎn)品，其默認(rèn)XMP/EXPO設(shè)定達(dá)到6000MHz CL28，可以說是AMD平臺(tái)DDR5超頻的最優(yōu)解之一，讓內(nèi)存延遲從91ns下降至77ns，表現(xiàn)相當(dāng)亮眼；電泳工藝處理2mm鋁合金馬甲+雙面高性能導(dǎo)熱墊，保證內(nèi)存顆粒和PMIC在高壓狀態(tài)下低溫+穩(wěn)定，而時(shí)空主題外觀搭配RGB亮面燈帶設(shè)計(jì)顏值拉滿；內(nèi)存本身支持終身質(zhì)保，通過簡單超頻即可實(shí)現(xiàn)6400MHz CL32，在可靠性和可玩性上都有所保障，值得肯定。

管家認(rèn)為，佰維DW100時(shí)空行者DDR5電競內(nèi)存6000 CL28 16GB×2是一款針對(duì)AMD平臺(tái)專屬優(yōu)化的內(nèi)存套裝產(chǎn)品，適合搭配AMD 9000X系列處理器乃至9800X3D這種游戲神U來提升整機(jī)性能。