對于大多數(shù)老DIY玩家而言，當(dāng)他們看到固態(tài)硬盤產(chǎn)品的主控和顆粒大概就猜到個(gè)大概，這很大程度歸根于市場同質(zhì)化的問題上，然而對于有技術(shù)和想法的牌子來說，同樣的配方卻能做出更多有想法的產(chǎn)品，最近管家入手的金士頓NV3 1TB就是一個(gè)好例子，讓我們來看看它的實(shí)際表現(xiàn)吧~

開箱部分

作為金士頓NV系列的最新型號，本次入手的金士頓NV3 1TB（下文簡稱為“NV3 1TB”）采用儲存卡產(chǎn)品中常見的一次包裝，減少了零售商二次包裝再銷售問題，包裝風(fēng)格使用了金士頓傳統(tǒng)的紅白配色風(fēng)格，從包裝信息可以看到，NV3系列具備6000MB/s順序讀取速度和3年有限保固。

包裝正面

NV3系列

本次入手的為1TB容量

金士頓LOGO

3年有限保固

包裝背面

各種認(rèn)證信息

免費(fèi)技術(shù)支持服務(wù)

沒有附件的啦

和大多數(shù)M.2固態(tài)硬盤產(chǎn)品一樣，NV3 1TB除了固態(tài)硬盤本體外并沒有其他附件，而箱說部分則印刷在一次性包裝上，考慮到本身屬于配件產(chǎn)品范疇，確實(shí)可以做到玩家可以到手即用。

產(chǎn)品細(xì)節(jié)

和之前NV1 NV2一樣，NV3 1TB使用單面上料+亮面藍(lán)色PCB設(shè)計(jì)，規(guī)格尺寸為標(biāo)準(zhǔn)的2280，PCB厚度較為標(biāo)準(zhǔn)，不薄也不厚，散熱兼容性上比雙面顆粒好；固態(tài)硬盤正面包含主控一枚和兩顆3D NAND閃存顆粒，銘牌貼紙覆蓋在正上方，考慮到產(chǎn)品保修問題，不建議一般用戶撕掉。

固態(tài)硬盤本體

支持X4的M KEY口

PCB背面特寫

和之前NV1、NV2情況類似，雖然NV3 1TB在同類產(chǎn)品中發(fā)熱并不算大，但是本身作為性能較高的NVMe固態(tài)硬盤會存在相對較高的發(fā)熱，管家的建議是使用主板自帶M.2散熱模塊或者選購第三方M.2固態(tài)硬盤散熱器，通過改善散熱以確保固態(tài)硬盤長期穩(wěn)定工作。

各種認(rèn)證信息一覽

撕掉貼紙~

我手中的這個(gè)NV3 1TB，主控部分是我們熟悉的群聯(lián)PS5027-E27，這是一款支持PCIe4.0x4+NVME 2.0協(xié)議的固態(tài)硬盤，可搭配TLC、QLC顆粒組建成品方案，顆粒最大速率支持3600MT/s；在NV3 1TB上，產(chǎn)品標(biāo)稱順序讀寫分別為6000MB/s和4000MB/s，參數(shù)上相對保守。

群聯(lián)PS5027-E27主控

值得一提的是，雖然采用了群聯(lián)E27主控，但在供電管理電路上使用了自己獨(dú)家設(shè)計(jì)，并沒有使用各家常見的群聯(lián)配套PMIC方案，這在其他廠商中比較少見的。

E27基本介紹

E27主控具體資料一覽

在顆粒方面，NV3 1TB采用金士頓自封的東芝162層BiCS6 TLC顆粒，顆粒編號為FB51208UCT134；金士頓為NV3 1TB提供320TBW寫入上限和3年有限保固服務(wù)，作為一款主流定位的固態(tài)硬盤產(chǎn)品來說，可靠性還算不錯(cuò)。

金士頓自封顆粒FB51208UCT134

PCB末端包含各種信息

基準(zhǔn)性能測試

測試平臺還是之前那個(gè)老一套，鎖全P核心5.5G 14600KF+MPG Z790刀鋒鈦+DDR5 7200MHz，RING頻率4.2G，系統(tǒng)版本為WIN10 22H2（19045.4170），測試盤安裝在直連CPU的第一槽并采用主板原配散熱模塊，測試環(huán)境為2024年11月18日冬天室內(nèi)無空調(diào)28度。

測試平臺信息

AIDA64溫度限制信息

Flash id信息

軟件讀取信息部分，通過FLASH ID，我們可以看到NV3 1TB使用的是上文提到過的東芝162層BiCS6 TLC顆粒；從AIDA64可以看到，固件溫度限制在75~80度之間，加裝散熱是保持性能和不掉盤的前提；而在CrystalDiskInfo中，NV3 1TB固件版本為ERFK1N.3，固態(tài)硬盤本身工作在PCIe4.0x4下，一切正常。

CrystalDiskInfo9.3.1

NV3 1TB在CrystalDiskMark 1G下實(shí)際順序讀寫超過了標(biāo)稱6000MB/s和4000MB/s標(biāo)稱值，實(shí)際成績?yōu)?146.52MB/s和5358.64MB/s，4K讀取為99.04MB/s；在32G項(xiàng)目中，性能表現(xiàn)和1G大差不差；高壓的64G下，也就4K讀取性能略微下降至85.43MB/s；可以說NV3 1TB在三個(gè)不同數(shù)據(jù)大小的測試項(xiàng)目下，性能都表現(xiàn)出驚人的一致，這在主流定位產(chǎn)品乃至其他群聯(lián)E27方案下都是比較少見的，整體表現(xiàn)值得肯定。

CrystalDiskMark8.0.4c 1G

CrystalDiskMark8.0.4c 32G

CrystalDiskMark8.0.4c 64G

和之前一樣，AS SSD Benchmark由于程序多年沒更新會出現(xiàn)偏低的情況，NV3 1TB在AS SSD Benchmark 1GB下取得了10504總分，其中順序讀取5065.73MB/s，順序?qū)懭?734.10MB/s，4K讀取98.31MB/s；10GB數(shù)據(jù)大小順序讀寫反而略微提升到5181.53MB/s和4889.50MB/s，而4K讀取則略微下降至75.69MB/s；整體跑分雖然相對CrystalDiskMark略低，但4K部分還是相當(dāng)亮眼的。

AS SSD 1G

AS SSD 10G

在ATTO 4.0中，NV3 1TB的表現(xiàn)就相當(dāng)強(qiáng)悍了，無論是256MB還是32GB文件大小，在整個(gè)跑分過程中，64KB~128KB就開始達(dá)到高速水平，順序讀寫分別為6.5GB/s和6.23GB/s，整體性能遠(yuǎn)超標(biāo)稱數(shù)值；和其他幾個(gè)跑分項(xiàng)目一樣，跑分?jǐn)?shù)據(jù)文件大小對跑分成績并沒有多大影響。

ATTO 256MB

ATTO 32G

TxBENCH0.98b跑分部分，順序讀寫分別為5901.392MB/s和5453.345MB/s，前者比標(biāo)稱的6000MB/s略低，但后者卻大幅超越標(biāo)稱4000MB/s，只能說跑分算法始終是妙不可言的。

TxBENCH0.98b

SLC Cache大小+全盤寫入測試

和之前的測試一樣，管家通過主板BIOS對NV3 1TB進(jìn)行安全擦除，再次進(jìn)入系統(tǒng)后執(zhí)行TxBENCH RAW模式自定義測試全盤寫入，測得數(shù)據(jù)NV3 1TB為空盤狀態(tài)下的SLC cache大小。

安全擦除成功

RAW模式下執(zhí)行全盤寫入測試

速度下降所在位置

實(shí)際SLC cache大小

NV3 1TB實(shí)際SLC cache容量相當(dāng)理想，和其他群聯(lián)E27有著巨大差別，在開始寫入1分09秒前一直維持在5300~5400MB/s寫入速度，到達(dá)1分09秒后速度開始下降，此時(shí)寫入量為365113114624bytes，換算后得出結(jié)果是：NV3 1TB全速SLC cache約為340G。

在全速SLC cache耗盡后寫入速度會一直維持在300MB/s附近直到寫入結(jié)束，全盤寫入整個(gè)過程曲線變化穩(wěn)定，自始至終沒進(jìn)入GC階段。

值得說明的是，相比之前其他牌子的群聯(lián)E27方案，NV3 1TB的SLC cache容量大了接近7倍，而SLC cache耗盡后速度相比其他方案大差不差，最后也沒有進(jìn)入GC階段帶來性能波動(dòng)；可以說，NV3 1TB的固件方案在日常使用中更多時(shí)候保持全速狀態(tài)，非高壓測試環(huán)境下體驗(yàn)會更好一點(diǎn)。

溫度測試

通過CrystalDiskInfo進(jìn)行溫度查看，在TxBENCH執(zhí)行全盤寫入10分鐘后和CrystalDiskMark64G寫入跑分上分別截圖，測試結(jié)束后待機(jī)10分鐘后截圖記錄溫度；PS此時(shí)為廣東11月18日室內(nèi)無空調(diào)28度。

CrystalDiskMark64G寫入跑分溫度：61攝氏度

TxBENCH執(zhí)行全盤寫入10分鐘后溫度：59攝氏度

測試結(jié)束待機(jī)10分鐘后溫度：42攝氏度

無論是CrystalDiskMark64G寫入跑分還是TxBENCH執(zhí)行全盤寫入10分鐘后溫度，讀數(shù)都維持在60攝氏度上下，而待機(jī)溫度則為42攝氏度，在28度室溫環(huán)境下，作為一款PCIe4.0固態(tài)硬盤來說，這個(gè)溫度表現(xiàn)還算理想，但可以肯定的是，NV3 1TB一定需要加裝散熱模塊以保證在高壓環(huán)境下的安定運(yùn)行。

結(jié)語：有想法的固件設(shè)定

在本次開箱試玩測試中，管家手上這片金士頓NV3 1TB固態(tài)硬盤整體表現(xiàn)是可圈可點(diǎn)的，作為一款主流定位的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，其實(shí)際跑分成績遠(yuǎn)超標(biāo)稱的6000MB/s和4000MB/s，實(shí)際成績達(dá)到了6200MB/s和5300MB/s水平，并且在不同數(shù)據(jù)大小下跑分成績維持一致；金士頓在NV3 1TB的固件設(shè)定上做了更人性化的調(diào)整，讓SLC cache大小達(dá)到350G左右，保證日常使用擁有更大的高速區(qū)間，并且全盤寫入過程中沒有進(jìn)入GC階段，很有想法；群聯(lián)E27+東芝162層BiCS6 TLC顆粒組合，配合3年有限保固和320TBW寫入上限，在可靠性方面比較理想。

管家認(rèn)為，金士頓NV3 1TB是一款性能比較不錯(cuò)的主流PCIe4.0固態(tài)硬盤，固件設(shè)定SLC cache大小達(dá)到350G左右保證日常高速體驗(yàn)，在主流定位的PCIe4.0固態(tài)中較有競爭力，適合DIY玩家和游戲玩家選擇。