作為硬件愛好者來說,管家經(jīng)常在自用機器和測試平臺之間搬運資料和軟件,之前一直使用U盤什么的,而因為前段時間雙十一特價,所以打算自己組一個移動固態(tài)硬盤來搬資料,所以入手了來自金士頓的NV2固態(tài)硬盤,在固態(tài)盒子到貨之前,先給大伙做個簡單開箱試玩分享一下~
和早年給老鐵買的NV1不同,管家本次入手的金士頓NV2 2TB固態(tài)硬盤(下文簡稱“NV2 2TB”)并沒有使用吸塑包裝,而是用了常見的紙盒款式,包裝采用紅白配色為主題并輔以簡潔產(chǎn)品信息介紹,盒子前后均有一次性封口膠,作為一款主流定位產(chǎn)品,NV2 2TB支持3年質(zhì)保。
包裝正面
支持PCIE4.0 X4
3年質(zhì)保服務(wù)
金士頓就無需介紹了吧
NV2為第二代產(chǎn)品
包裝背面
全套附件一覽
NV2 2TB和大多數(shù)固態(tài)硬盤產(chǎn)品一樣,除了固態(tài)硬盤本體和基本箱說外沒有其他附件,作為一款主打低溫低功耗的主流級性能產(chǎn)品,NV2固態(tài)對散熱要求確實并不大,玩家可以做到上手即用,算是該有的都有了。
和管家之前寫的NV1類似,NV2 2TB采用了NV系列標(biāo)志性的藍(lán)色亮面PCB設(shè)計,PCB為單面上料,相比雙面上料有更好的散熱兼容性;其中PCB正面包含一顆固態(tài)硬盤主控和4顆3D NAND閃存,并以銘牌貼紙覆蓋;背面則為光面,沒有預(yù)留空焊位置。
NV2 2TB正面
支持PCIE X4的M KEY接口特寫
NV2 2TB背面
去除貼紙后PCB正面一覽
NV2 2TB采用來自SMI惠榮的SM2267XT,這是一枚支持PCIE4.0 X4+NVME1.4的固態(tài)硬盤主控,主控本身為無外置緩存類型并支持HMB技術(shù),搭載4CE和4 NAND通道,可搭配TLC、QLC顆粒組建成品方案,顆粒速率最大支持至1200MT/s,理論上最高讀寫速度可達3900MB/s和3500MB/s,就整體規(guī)格而言,屬于PCIE4.0下的主流級產(chǎn)物,目標(biāo)是取代PCIE3.0旗艦。
SM2267XT固態(tài)硬盤主控
SM2267/2267XT主控簡單介紹
其中XT為無外置緩存DRAM-less設(shè)計
顆粒方面,NV2 2TB使用來自金士頓自家自封的FB51208UCN1,顆粒本身實際為英特爾 144層QLC 3D NAND顆粒,作為主流定位產(chǎn)品,NV2 2TB提供標(biāo)稱640TBW的寫入上限壽命和3年質(zhì)保,在可靠性方面還算不錯。
金士頓自封FB51208UCN1顆粒
搭配B650 EDGE WIFI主板原配散熱馬甲測試
測試平臺和之前設(shè)定完全一樣,為AMD R5 7600+B650 EDGE WIFI(NO PBO+全核5.4Ghz 1.15v),內(nèi)存6000MHz CL30/FCLK2000MHz,WIN10系統(tǒng)版本為22H2,測試盤安裝至直連CPU槽位,散熱使用主板直連槽原配散熱馬甲,測試環(huán)境為廣東11月下旬25度,空調(diào)未開。
測試平臺系統(tǒng)信息
CPUZ截圖
在flash id中,NV2 2TB使用來自英特爾144層3D QLC顆粒,和上文介紹描述相同;在CrystalDiskInfo中,管家手上的這片NV2 2TB固件為S BM02103,支持NVME 1.4協(xié)議和S.M.A.R.T.、TRIM和volatile write cache等,此NV2 2TB傳輸模式為PCIE 4.0 x4。
Flash id資料截圖
CrystalDiskInfo軟件信息
在CrystalDiskMark 1G測試中,NV2 2TB的實際順序讀寫略微超過標(biāo)稱3500MB/2800MB的水平,實際成績?yōu)?686.25MB/s和2935.74MB/s,4K讀取為58.47M/s;64GB部分中,順序讀寫表現(xiàn)基本一致,4K讀取部分有所下降,成績?yōu)?7.91MB/s;從各方面表現(xiàn)來看,NV2 2TB作為一款PCIE4.0主流產(chǎn)品基本上超越了PCIE3.0旗艦,符合其產(chǎn)品定位。
CrystalDiskMark 1G
CrystalDiskMark 64G
和之前其他固態(tài)硬盤測試一樣,AS SSD測試項目成績會普遍略低一些,NV2 2TB在AS SSD Benchmark 1GB下取得4118總分,其中順序讀取3108.55MB/s,順序?qū)懭?591.33MB/s,4K讀取42.38MB/s;而10GB成績和1G相比基本沒有變化,部分?jǐn)?shù)值偏差可以忽略不計;和之前說法一樣,AS SSD停更時間太長了,沒跟上新主控新協(xié)議的進度。
AS SSD Benchmark 1GB
AS SSD Benchmark 10GB
ATTO磁盤基準(zhǔn)測試項目,軟件版本仍舊是4.0,無論256MB還是32GB文件大小測試中,在512KB~64MB部分,從128KB開始讀寫性能達到了高速階段,寫入就維持最大值2.70GB/s,而讀取則為3.2~3.3GB/s;作為老牌主控廠商,在小文件讀寫速度上還是有不錯表現(xiàn)的。
ATTO 256MB
ATTO 32GB
TxBENCH0.98b部分,順序讀取3602.370MB/s,而寫入一度達到2969.189MB/s,讀寫成績都超越了標(biāo)稱水準(zhǔn),4K部分性能則為46.754MB/s,和之前的CrystalDiskMark 1G項目基本吻合。
TxBENCH0.98b
流程方法和之前一樣,使用主板BIOS安全擦除功能清理測試盤,再之后在TxBENCH RAW模式下自定義測試中執(zhí)行全盤寫入,該方法能直接測得出空盤下SLC cache大小。
對測試盤安全擦除
執(zhí)行全盤寫入
速度/寫入時間變化曲線
具體速度下降位置
全速SLC cache區(qū)間
NV2 2TB實際SLC cache容量還算不錯的,在開始寫入3分13秒前一直維持在2800~2900MB/s寫入速度,到達3分13秒后速度開始下滑,此時寫入量為561880498176bytes,換算后得出結(jié)果是:NV2 2TB全速SLC cache約為523~525G。
在SLC cache耗盡后,NV2 2TB一直以260~280MB/s的速度寫入,直到寫入結(jié)束。
在本次測試中管家使用CrystalDiskInfo進行溫度監(jiān)控,測試項目分為兩個,一為全盤寫入10分鐘后截圖,二為CrystalDiskMark64G寫入跑分階段測試+截圖,所有測試結(jié)束后待機10分鐘后截圖記錄待機溫度;重申此時為廣東11月下旬,室內(nèi)開啟25度,散熱為B650 EDGE WIFI主板第一槽原配散熱。
NV2 2TB溫度限制信息
CrystalDiskMark64G寫入跑分溫度為41度
全盤寫入10分鐘后溫度為47度
測試結(jié)束待機10分鐘后為33度
NV2 2TB經(jīng)過10分鐘左右的全盤寫入測試,溫度保持在45~47度,CrystalDiskMark 64GB寫入跑分中,溫度為41度;測試結(jié)束后靜置待機10分鐘后溫度讀數(shù)為33度;管家覺得,NV2 2TB是一款溫度控制十分理想的固態(tài)硬盤產(chǎn)品,尤其適合在空間窄小且散熱不良的筆記本、NUC、ITX場景中使用,個人建議搭配金屬薄片散熱以確保最基本散熱即可。
在本次開箱中,金士頓NV2 2TB固態(tài)硬盤的表現(xiàn)是符合其產(chǎn)品定位的,SM2267XT無外置緩存方案搭配英特爾144層3D QLC顆粒,實際讀寫性能略微超越標(biāo)稱的3500MB/s和2800MB/s,超越了不少PCIE3.0旗艦產(chǎn)品;憑借其優(yōu)秀的溫度控制表現(xiàn),在室溫25度的環(huán)境下負(fù)載最高溫僅為47度,相比PCIE3.0大多數(shù)產(chǎn)品都要低溫;NV的2TB容量提供640TBW寫入壽命和3年質(zhì)保,作為主流產(chǎn)品可靠性還算不錯。
管家認(rèn)為,金士頓NV2 2TB是一款低溫可靠且超越過去PCIE3.0性能的主流PCIE4.0固態(tài)硬盤產(chǎn)品,是筆記本、NUC以及ITX用戶升級儲存的好選擇。