在內(nèi)存顆粒廠商中，目前DDR5內(nèi)存顆粒的性能天花板是海力士A-DIE和M-DIE，三星和鎂光確實不太行，但如果價格合適，那么性能低一些消費者也可以接受，本文測試的金百達5600MHz普條就是一款使用三星D-DIE顆粒的低價內(nèi)存。

下文按照常規(guī)內(nèi)存的測試流程，和大家分享一下這款內(nèi)存的參數(shù)解析、默頻表現(xiàn)以及超頻測試這三方面表現(xiàn)，歡迎點贊收藏打賞三連，由于平時時間有限且評論區(qū)溝通效率低，有復雜問題咨詢請單獨聯(lián)系。

? 省流總結

給懶得看完的朋友做個總結：

?? 這款金百達三星顆粒普條最大優(yōu)勢是電壓低，1.1V意味著不吃CPU的IMC體質(zhì)，運行溫度也對應著會比海力士顆粒的低很多。

?? 這款內(nèi)存第二優(yōu)勢才是價格，在金百達自家產(chǎn)品中對比，比最便宜的海力士A-DIE顆粒型號要便宜六十塊錢，后續(xù)要是降價應該差價更大。

?? 相比三星自家原廠條的三年質(zhì)保，金百達提供的是終身質(zhì)保，保修會比直接買原廠條要更好點，這點屬于加分項。

? 這款內(nèi)存的默認時序真的是爛，C46的延遲能到80ns以上，一定要手動超頻，不知道怎么超看下文的1.1V電壓超頻作業(yè)，有手就行且不吃CPU體質(zhì)，完全沒有風險。

如果你的CPU是非K的Intel/7系AMD，或者圖的就是個低功耗+低溫，這款內(nèi)存會是個不錯的選擇，超頻后的6200MHz足夠常規(guī)用戶使用了。

如果你追求的是讀寫性能，那這款三星顆粒的內(nèi)存完全不適合你，帶K的IU請直接去買10層PCB的金百達黑刃，IMC體質(zhì)達標+主板支持的前提下輕松能上8000MHz。

? 參數(shù)解析

簡單說一下這款內(nèi)存的特點，截圖為BIOS抓到的SPD信息：

●第一是電壓，看過我之前超頻教程的朋友應該知道，目前海力士顆粒由于電壓問題拉高頻率必然高溫，這款內(nèi)存的默認電壓為1.1V，對應溫度也會比常規(guī)1.3V的要低很多。

●第二是形態(tài)，這款內(nèi)存沒有馬甲，對于顏值黨來說會比較膈應，單說性能其實沒啥影響，畢竟三星的DDR5顆粒超頻上限低，壓根不會觸及高溫問題。

●第三是性能，根據(jù)金百達官方詳情頁的說明，這組內(nèi)存5600MHz默認頻率的時序為C46，這確實有點高的夸張了，建議大家到手后手動超頻來降低讀寫延遲。

簡單來說，這款內(nèi)存的優(yōu)點在于非常低的溫度表現(xiàn)并且不挑CPU的IMC體質(zhì)，缺點就是默認參數(shù)稀爛外加超頻上限較低。

? 測試環(huán)境

普通小綠條外觀確實沒啥看的地方，說一下本次測試環(huán)境。

1??內(nèi)存丨金百達普條5600MHz

簡介：價格屠夫金百達的新品，也是本文的測試核心，16G單條的首發(fā)價格為299元，后續(xù)出貨量上來感覺能降到250元以內(nèi)，形態(tài)為單面三星D-DIE顆粒，單顆粒容量為2G，直接看下面表現(xiàn)吧。

上文也提到了性能向的金百達黑刃6800MHz內(nèi)存，這款目前是金百達最具性價比的內(nèi)存，雖然沒燈但勝在性價比高且用料十足，采用的10層pcb+海力士A-Die原廠原印顆粒，更高頻率還有7200MHz版本，大家可以根據(jù)自己的需求選擇入手。

2??CPU丨Intel i9-14700K

簡介：手上沒有非K型號的CPU了，這里拿14700K做案例，這塊CPU是CP值（也就是體質(zhì)分）為95的大雕，當然三星顆粒的超頻上限就在這兒，非K型號的Intel和AMD一樣用，不會有瓶頸的。

3??主板丨技嘉 Z790 AORUS ELITE X WIFI7

簡介：單說內(nèi)存性能，技嘉屬于不怎么受CPU體質(zhì)限制的保底型主板，畢竟有高帶寬+低延遲模式在那兒，所以本文測試結果會比常規(guī)二三線主板要高出10-20%，打算搭配入門級二三線主板的朋友請注意這個差距，別跑不到我這組數(shù)據(jù)說騙人。

? 基礎數(shù)據(jù)

上文只簡單的說了下參數(shù)，用ThaiphoonBurner抓取的SPD信息，具體說一下性能參數(shù)：

●這款內(nèi)存沒做XMP或者EXPO預設，原生JEDEC配置就是5600MHz，后期超頻好用戶可以自行通過ThaiphoonBurner或者主板BIOS直接寫入超頻參數(shù)到SPD上。

●原生的JEDEC預設一共有10組，最優(yōu)也是默認會選擇的參數(shù)為5600MHz頻率，對應時序為C46-45-45-90，運行電壓則是1.1v。

說白了，這組內(nèi)存不支持自動超頻，不在乎性能就直接插上用吧。

用默認的5600MHz+C46做測試，BIOS未開啟任何優(yōu)化，測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

●讀取速度為87591MB/s

●寫入速度為76840MB/s

●拷貝速度為77858MB/s

●延遲為83.1ns

讀寫速度其實還好，延遲是真的高的離譜，下面超頻環(huán)節(jié)會有和這組數(shù)據(jù)的對比。

? 超頻作業(yè)

為了保證內(nèi)存的低電壓+低溫工作狀態(tài)，這里的超頻不涉及調(diào)整電壓，不同CPU和主板的操作都一樣，完全不存在損壞硬件的風險，新手請放心抄作業(yè)。

PS：御三家中高端主板有針對三星顆粒內(nèi)存的超頻預設，我看了下不適合D-DIE顆粒，電壓給的太高且時序太高，建議手動超頻，不麻煩的。

第一步，開機后按DEL鍵進BIOS，點擊切換成高級模式。

第二步，按下圖所示進入Tweaker頁面（超頻），點擊SystemMemoryMultiplier（內(nèi)存頻率），首次超頻建議選擇修改為6000或者6200MHz。

第三步，點擊上步的下一項AdvancedMemorySettings（高級內(nèi)存選項），找到SA GV（中文可能是SA分頻），默認是開啟狀態(tài)，點擊切換成關閉。

最后一步，點擊上步頁面下面的MemoryChannelsTiming（時序），按照下圖修改：

●CAS修改為34，如果開不了機修改為36。

●tRCD修改為44，如果開不了機修改為48。

●tRP修改為44，如果開不了機修改為48。

●tRAS修改為52，如果開不了機修改為56。

上述四部確認修改完成后，點擊下圖右上角的Save&Exit，選擇保存配置并重啟，至此超頻配置完成。

6200MHz+C34這組參數(shù)相信絕大部分設備都能超到，記得拿TM5跑個1usmus壓力測試看看有沒有報錯，全程無報錯才算超頻成功，測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

●讀取速度為100386MB/s，對比默認的5600MHz提升約14.6%。

●寫入速度為89063MB/s，對比默認的5600MHz提升約15.9%。

●拷貝速度為91418MB/s，對比默認的5600MHz提升約17.4%。

●延遲為68.0ns，對比默認的5600MHz減少約22.2%。

通過對比可以看到，在不增加功耗的前提下，手動超頻后提升還不錯，特別是延遲，已經(jīng)能壓到70ns以內(nèi)。

后續(xù)摸了下這對內(nèi)存在這臺設備上的極限，不改電壓的極限可以超到6400MHz+C34-44-52，測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

●讀取速度為100824MB/s，對比默認的5600MHz提升約15.1%。

●寫入速度為90598MB/s，對比默認的5600MHz提升約17.9%。

●拷貝速度為93555MB/s，對比默認的5600MHz提升約20%。

●延遲為67.5ns，對比默認的5600MHz減少約23.1%。

和金百達的工作人員聊了下，加電壓的前提下有人超到了7200MHz，我個人覺得意義不大，真要追求性能加電壓，為啥我不選海力士顆粒的金百達刃系列呢？

? 本文完

金百達（KINGBANK）16GB DDR5 5600 筆記本內(nèi)存條 三星顆粒

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