致態(tài)又一款固態(tài)硬盤殺瘋了！誰(shuí)能想到短短兩年之內(nèi)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破了行業(yè)壟斷，不但性能拔群、倒逼國(guó)外大廠降價(jià)，而且新品一出手就是王炸。

這款新品便是長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下品牌致態(tài)推出的TiPlus 7100固態(tài)硬盤。它采用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研自產(chǎn)的晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)以及新一代TLC閃存顆粒，順序讀取速度達(dá)到了7000MB/s，揮劍直指自家旗艦。

致態(tài)TiPlus7100為無(wú)緩設(shè)計(jì)，支持HMB和SLC Cache智能緩存，發(fā)熱和功耗控制也非常出色，再加上M.2 2280單面PCB設(shè)計(jì)，無(wú)論臺(tái)式機(jī)、筆記本還是PS5都能輕松兼容，難怪被官方冠以“全能戰(zhàn)士”的稱號(hào)。

耐久度方面，致態(tài)TiPlus7100的512GB、1TB和2TB三個(gè)版本分別達(dá)到了300TBW、600TBW和1200TBW的寫入壽命，MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）可達(dá)150萬(wàn)小時(shí)。我手上這款為1TB版本，目前六百多就能拿下，今天就給大家做一個(gè)詳盡的裝機(jī)實(shí)測(cè)。

開箱

致態(tài)TiPlus7100的包裝正面標(biāo)出了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking 3.0和3D TLC閃存顆粒，以及7000MB/s讀速。

包裝兩側(cè)開口均有致態(tài)封貼，背面標(biāo)明支持PCIe Gen4.0x4傳輸模式和NVMe1.4標(biāo)準(zhǔn)，質(zhì)保5年。

包裝內(nèi)有SSD本體，3枚螺絲配件，以及一份說(shuō)明書&保修卡。

單面PCB+標(biāo)準(zhǔn)M.2 2280規(guī)格，芯片元件均在正面，有出廠貼紙做“封面”，上面印有型號(hào)容量產(chǎn)地SN等參數(shù)。

背面完全空著，不易積攢熱量，即使不裝散熱片也可保證高速讀寫。此外，單面設(shè)計(jì)的兼容性更強(qiáng)，除臺(tái)式機(jī)外，筆記本或PS5都能輕松擴(kuò)容。

去除貼紙之后可以看到2顆512GB容量的閃存顆粒和1個(gè)主控，兩個(gè)閃存顆粒合計(jì)1TB容量，顆粒之間的空焊位置更好夠放額外2顆，放滿后就應(yīng)該是2TB容量版本了。

致態(tài)TiPlus7100采用了DRAM-Less無(wú)緩方案的設(shè)計(jì)，支持HMB，使用主板上的內(nèi)存來(lái)實(shí)現(xiàn)FTL緩存映射表存取，掉電時(shí)不易丟失數(shù)據(jù)，更容易控制成本，而且少了獨(dú)立緩存也能降低SSD的發(fā)熱。

初始化和固件升級(jí)

手里有個(gè)PCIe4.0x4的轉(zhuǎn)接卡，初次使用致態(tài)TiPlus7100時(shí)，我直接將其裝入轉(zhuǎn)接卡插入臺(tái)式機(jī)主板，省去了拆裝顯卡、主板自帶散熱鎧甲的麻煩事兒。這個(gè)階段主要為SSD做初始化，可以看到1TB版本的實(shí)際容量約為953GB。

使用CDI識(shí)別固態(tài)參數(shù)，可以看到致態(tài)TiPlus7100支持PCIe Gen4.0x4和NVMe 1.4，帶有S.M.A.R.T、TRIM和VolatileWriteCache寫入緩存等特性。我的PCIe轉(zhuǎn)接板自帶導(dǎo)熱片和散熱鎧甲，插入主板插槽后實(shí)測(cè)待機(jī)溫度為42℃。

從CDI還可以看到出廠固件版本ZTA22001。在致態(tài)官網(wǎng)下載安裝官方固件升級(jí)軟件SmartTool（如下圖所示）即可一鍵更新到新版固件ZTA22002。該軟件也可以像CDI一樣查詢到SSD的基本參數(shù)，必要時(shí)也可以執(zhí)行磁盤擦除等操作。

裝機(jī)實(shí)測(cè)

用來(lái)測(cè)試硬盤性能的臺(tái)式機(jī)配置如下，華碩X570-E主板上有2個(gè)PCIe 4.0x4傳輸標(biāo)準(zhǔn)的M.2插槽，且2個(gè)M.2 SSD均自帶散熱鎧甲，并有南橋散熱風(fēng)扇輔助散熱。

測(cè)試之前我將之前的轉(zhuǎn)接卡拆除，將被測(cè)試的致態(tài)TiPlus7100放入主板雙M.2插槽的主插槽，系統(tǒng)盤挪到副M.2位，以便測(cè)出讀寫速度最大值。

CDM測(cè)試

使用Crystal Disk Mark7.0進(jìn)行讀寫速度測(cè)試，默認(rèn)模式下1GB基準(zhǔn)（下圖左）和8GB基準(zhǔn)（下圖右）的測(cè)試結(jié)果如下，可以看到連續(xù)讀取速度已經(jīng)超過(guò)了官方標(biāo)稱的7000MB/s，達(dá)到了7400MB/s以上；連續(xù)寫入速度也達(dá)到了6200MB/s，比官方標(biāo)稱的6000MB/s還要快。8GB測(cè)試比1GB測(cè)試略有下降，差距不大。這個(gè)成績(jī)對(duì)于無(wú)緩設(shè)計(jì)的SSD來(lái)說(shuō)已經(jīng)很強(qiáng)了，已經(jīng)逼近有緩存設(shè)計(jì)的致態(tài)TiPro7000旗艦。

將CDM的Profile改為Peak Performance模式以測(cè)試它的峰值性能，分別選擇1GB和32GB基準(zhǔn)得到如下結(jié)果?？梢钥吹?GB基準(zhǔn)下，固態(tài)硬盤的4K隨機(jī)讀取IOPS達(dá)到831K，隨機(jī)寫入IOPS為387K。將基準(zhǔn)改為32GB后，測(cè)試結(jié)果有一定程度的下滑，但4K隨機(jī)讀取速度依然保持在820K的水平。

ATTO磁盤基準(zhǔn)測(cè)試

致態(tài)TiPlus7100在ATTO4.0磁盤基準(zhǔn)測(cè)試中也得到了不錯(cuò)的成績(jī)小到512B、1KB的文件傳輸，大到幾十兆的文件讀寫都處于PCIe4.0的旗艦水準(zhǔn)，其中128K~256KB已經(jīng)可以提供5.6GB/s的讀寫速度，512KB以上的傳輸速度穩(wěn)定在6.8GB/s讀取和5.6GB/s寫入的水平。

HD Tune測(cè)試

在HD Tune Pro的文件基準(zhǔn)測(cè)試中選擇測(cè)試文件長(zhǎng)度為200GB，執(zhí)行測(cè)試后得到6.6GB/s的連續(xù)讀取速度和6.25GB/s的連續(xù)寫入速度，在200GB讀寫測(cè)試中，藍(lán)色的讀取曲線和橙色的寫入曲線沒(méi)有明顯的波動(dòng)，數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定。

全盤寫入測(cè)試

對(duì)于DRAM-Less的固態(tài)硬盤，我們更想知道它的SLC緩存容量和緩?fù)馑俣?。很顯然HD Tune的200GB文件長(zhǎng)度還不夠用，因此我準(zhǔn)備了949GB的數(shù)據(jù)（下圖的6個(gè)文件夾，共233個(gè)4.2GB大小的文件）裝入的2TB的固態(tài)硬盤，將其置于PCIe轉(zhuǎn)接卡插入主板，用于給致態(tài)TiPlus7100做全盤寫入測(cè)試，這個(gè)測(cè)試分為2個(gè)部分，一是測(cè)出SLC緩存容量和緩?fù)馑俣?，二是測(cè)試大容量讀寫時(shí)SSD的溫度控制。

測(cè)試結(jié)果：（1）在945GB寫入文件的前190GB階段（20%進(jìn)度之前），寫入速度維持在2.1~2.0GB/s，是速度最快的一個(gè)階段。（2）寫入190GB后出現(xiàn)第1次降速，此時(shí)主控一邊寫入一邊清除緩存數(shù)據(jù)，因此速度小幅降低，由1.8GB/s到1.5GB/s緩慢下滑，期間有波動(dòng)但整體穩(wěn)定，這個(gè)階段持續(xù)到了總寫入容量735GB左右。（3）寫入數(shù)據(jù)剩余大約最后20%時(shí)，出現(xiàn)了第2次降速，此時(shí)速度由1.5GB/s斷崖式下降到700MB/s左右，這個(gè)階段一直持續(xù)到所有文件拷貝完畢。

溫度控制測(cè)試

致態(tài)TiPlus7100搭載了Thermal Throttle和Power Management兩大管理系統(tǒng)，可以動(dòng)態(tài)調(diào)整發(fā)熱溫度和功耗控制，這個(gè)優(yōu)勢(shì)在上述測(cè)試中表現(xiàn)得十分明顯，比如全盤寫入測(cè)試時(shí)，致態(tài)TiPlus7100的最高溫度為55℃（有主板散熱片輔助散熱），全盤寫入結(jié)束后很快降到待機(jī)時(shí)的47℃。

接著重新測(cè)試了一次CDM和一次AS跑分，最高溫度56℃，測(cè)試結(jié)束后很快恢復(fù)到47℃的待機(jī)溫度（從下圖也可以看到在本平臺(tái)下AS SSD Benchmark測(cè)得分?jǐn)?shù)為6649）。

總結(jié)

通過(guò)深度測(cè)試，我認(rèn)為致態(tài)TiPlus7100有兩大優(yōu)勢(shì)最值得說(shuō)道：其一在于采用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研自產(chǎn)的晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)和新一代3D NAND，單顆芯片接口速度達(dá)到了2400MT/s，比上一代的1600MT/s提高了50%之多；芯片體積小，密度更高，單Die容量可以達(dá)到64GB；單面PCB設(shè)計(jì)，配合出色的溫度和能耗控制，設(shè)備兼容性更強(qiáng)，臺(tái)式機(jī)筆記本PS5都能用，用在筆記本上也更省電。

其二是采用了四通道的閃存控制器，比像八通道的三星旗艦980Pro和西數(shù)SN850還厲害——致態(tài)TiPlus 7100使用更少的閃存通道就達(dá)到了更高的性能，順序讀寫速度實(shí)測(cè)達(dá)到了7400MB/s、6200MB/s，已經(jīng)超過(guò)了官方標(biāo)稱的7000MB/s、6000MB/s，與有緩存的SSD旗艦相比已經(jīng)毫無(wú)懼色，在DRAM-Less領(lǐng)域中更是出類拔萃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的實(shí)力可見(jiàn)一斑。如果你近期需要給筆記本、臺(tái)式機(jī)、PS5的升級(jí)固態(tài)，致態(tài)TiPlus7100應(yīng)該是一個(gè)相當(dāng)不錯(cuò)的選擇。

我是筆點(diǎn)酷玩，這篇評(píng)測(cè)就寫到這里，關(guān)注我了解更多新品實(shí)測(cè)，我們下期再會(huì)。