說(shuō)到國(guó)貨,隨著新疆棉事情的發(fā)酵,國(guó)人對(duì)于外資產(chǎn)品出現(xiàn)了史無(wú)前例的抵制,對(duì)于國(guó)貨又一次統(tǒng)一了戰(zhàn)線,迎接國(guó)貨。淘淘本來(lái)就準(zhǔn)備進(jìn)行更換筆記本老的M2固態(tài)硬盤,感覺硬盤的讀取速度有待提高,本來(lái)準(zhǔn)備入手金士頓、閃迪或者三星,但是新疆棉事件,淘淘果斷放棄外資品牌,入手了國(guó)貨光威NVMe驍將240GB固態(tài)硬盤。
外資產(chǎn)品雖然運(yùn)營(yíng)時(shí)間比國(guó)內(nèi)品牌時(shí)間長(zhǎng)很多,但是隨著國(guó)產(chǎn)品牌的崛起,淘淘從消費(fèi)者角度想,外資品牌也應(yīng)該降價(jià)了吧!但是還是依然高價(jià)位,加上新疆棉事件,淘淘愛國(guó)情懷油然而生!
光威NVMe外包裝上采用純白為底,中間印刷上固態(tài)硬盤外觀,左上角為品牌LOGO。簡(jiǎn)約的設(shè)計(jì)風(fēng)格,正和現(xiàn)在主流社會(huì)所想要的簡(jiǎn)約風(fēng)相吻合。
要說(shuō)包裝上最大亮點(diǎn)就是的帶長(zhǎng)江存儲(chǔ)生態(tài)系統(tǒng)標(biāo)簽的“Xtacking”標(biāo)簽了同時(shí)在標(biāo)簽上光威驍將還標(biāo)注了采用3D TLC NAND閃存顆粒,TLC閃存作為擁有高壽命以及耐久度而著稱,在同容量下是QLC的三倍,隨機(jī)讀寫性能要比QLC閃存更高。
看到激光鐳射激光鐳射標(biāo)簽,淘淘迫不及待就要進(jìn)行拆開包裝,看看里面的產(chǎn)品。一根固態(tài)條,一把螺絲刀、一顆帶墊片的螺絲、說(shuō)明書一份。細(xì)心是配件,給予使用者最大程度的使用方便。
光威驍將M2 2280規(guī)格,在筆記本和臺(tái)機(jī)上都通用,尤其在游戲本上體驗(yàn)效果更佳!輕薄的光威驍將M2固態(tài),純白色貼紙,左上角的品牌LOGO,下部的M2標(biāo)識(shí),簡(jiǎn)約中透露著不簡(jiǎn)單。
背面可以看到產(chǎn)品的型號(hào),以及固態(tài)容量的大小。純國(guó)產(chǎn)主控聯(lián)蕓MAP1002或英韌IG5216、國(guó)產(chǎn)閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)、國(guó)產(chǎn)芯片,在保證品質(zhì)的同時(shí),也實(shí)現(xiàn)全面國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)資源的整合,這一點(diǎn)得為光威點(diǎn)個(gè)贊!
光威驍將在芯片上覆單層石墨烯,而純且無(wú)缺陷的石墨烯最大導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)5300W/mK,散熱效果遠(yuǎn)不是金屬材料可以比擬的。石墨烯散熱的加入,使得固態(tài)M2不在需要金屬散熱片,從而提高M(jìn)2超薄體驗(yàn)!
驍將這名字的由來(lái)就不得不提NVMe協(xié)議了,作為基于非易失性存儲(chǔ)器的傳輸結(jié)構(gòu),可以有效提高讀寫性能,降低AHCI接口帶來(lái)的高延遲,具備更大頻寬,更高IOPS及更低延時(shí)性,讓使用者有更佳的快速讀寫和低延遲。
淘淘將新的光威驍將拿到游戲本上,看到原廠自帶的M2和光威驍將擺在一起,可以看得出來(lái)還是驍將的顏值較高,話不多說(shuō),開始更換。
光威驍將搭載一款擁有4個(gè)閃存通道的固態(tài)硬盤,支持 PCle Gen3X4接口和新版的NVMe1.3標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議,可以更出色發(fā)揮電競(jìng)筆記本和臺(tái)式機(jī)的潛在性能。
CrystalDiskMark跑分測(cè)試,可以看到光威驍將可以將讀寫最大實(shí)現(xiàn)2384MB/s,寫入速度1176MB/s,4K隨機(jī)讀寫速度57MB/s,讀寫速度163MB/s,整體的性能和官方數(shù)據(jù)吻合。
總結(jié):
光威驍將NVMe在配置豐富的同時(shí),還考慮到國(guó)內(nèi)消費(fèi)者,要和國(guó)產(chǎn)手機(jī)代表華為一樣,國(guó)內(nèi)售價(jià)低,在同樣配置的情況下,光威驍將NVMe 240GB只需要不到230的價(jià)格,這樣的配置在外資品牌而言只能看,對(duì)于這樣的國(guó)貨,在我們的支持下,還會(huì)發(fā)生新疆棉事件嗎?